IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD600N25N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD600N25N3GATMA1 | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.84 | $0.36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | OptiMOS 3 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 60 mOhm at VGS = 10 V | — |
| 게이트 임계 전압 | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) |
| 실장 유형 | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4.7 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 26 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1 Ω @ VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | ±20 V (max gate-source) |
| Gate Charge (QG) | — | 6 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 230 pF @ 400 V |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full enhancement) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Series | — | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction |