IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD600N25N3GATMA1 por Infineon e IPD60R1K0PFD7SAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD600N25N3GATMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,84 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Tensão de limiar de gate [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63)
Tipo de montagem Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Livre de halogênio Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4.7 A
Power Dissipation (PD) at TC — 26 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1 Ω @ VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max gate-source)
Gate Charge (QG) — 6 nC @ VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 230 pF @ 400 V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (TJ)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (full enhancement)
Status RoHS — Compliant
Series — CoolMOS PFD7 consumer / superjunction

Fichas técnicas e recursos

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