IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R385CPATMA1 par Infineon et IPD60R145CFD7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R385CPATMA1 | IPD60R145CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $1,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ CP (5th generation) | CoolMOS CFD7 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 83 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Technology | — | CoolMOS CFD7 (superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | — | 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 145 mOhm |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] |
| Boîtier | — | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| Body Diode | — | Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Target Application | — | ZVS / LLC resonant converters, soft switching |