IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD60R385CPATMA1 от Infineon и IPD60R145CFD7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R145CFD7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD60R385CPATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,42 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) CoolMOS CFD7
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Рабочая температура перехода -55 °C to +150 °C —
Корпус / Типоразмер PG-TO252-3 (DPAK) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) 3 (Gate, Drain, Source)
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Technology — CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Корпус — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
Рабочая температура — -55C to +150C (junction)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену