IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD60R385CPATMA1 por Infineon e IPD60R145CFD7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPD60R385CPATMA1 | IPD60R145CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,42 | $1,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ CP (5th generation) | CoolMOS CFD7 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 83 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +150 °C | — |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) |
| Contagem de pinos | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Technology | — | CoolMOS CFD7 (superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | — | 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 145 mOhm |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] |
| Encapsulamento | — | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| Body Diode | — | Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) |
| Temperatura de operação | — | -55C to +150C (junction) |
| Target Application | — | ZVS / LLC resonant converters, soft switching |