IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD60R385CPATMA1 メーカー: Infineon および IPD60R145CFD7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD60R385CPATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) CoolMOS CFD7
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
動作接合温度 -55 °C to +150 °C —
パッケージ / ケース PG-TO252-3 (DPAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
ピン数 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Technology — CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
パッケージ — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
動作温度 — -55C to +150C (junction)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

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