IPD70N10S312ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD70N10S312ATMA2 par Infineon et IPD35N10S3L26ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD70N10S312ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS-T)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 35 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Drain, Source, Gate + tab)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes —
Product Family — OptiMOS-T
Type de transistor — N-Channel MOSFET
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis