IPD70N10S312ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD70N10S312ATMA2 por Infineon e IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD70N10S312ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,69 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS-T)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 35 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Drain, Source, Gate + tab)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes —
Product Family — OptiMOS-T
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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