IPD70N10S312ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD70N10S312ATMA2 por Infineon y IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD70N10S312ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS-T)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 35 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Drain, Source, Gate + tab)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes —
Product Family — OptiMOS-T
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización