IPD90N06S404ATMA2 vs IPD068N10N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD90N06S404ATMA2 par Infineon et IPD068N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD90N06S404ATMA2 | IPD068N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,72 | $0,65 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 150 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) |
| Operating Temperature (TJ max) | 175 °C | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C (MSL1) | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Niveau MSL | MSL1 | 1 |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD068N10N3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V (typical) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Qualification | — | Industrial (non-automotive) |