IPD90N06S404ATMA2 vs IPD068N10N3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD90N06S404ATMA2 제조: Infineon 및 IPD068N10N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD90N06S404ATMA2 IPD068N10N3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.72 $0.65
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
패키지 PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant (Green Product) Compliant
MSL 레벨 MSL1 1
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

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