IPD90N06S404ATMA2 vs IPD068N10N3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD90N06S404ATMA2 от Infineon и IPD068N10N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Активен
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD068N10N3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD90N06S404ATMA2 IPD068N10N3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,72 $0,65
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
Корпус PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Уровень MSL MSL1 1
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену