IPG20N04S4L07ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S4L07ATMA1 par Infineon et IPD50N04S408ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPG20N04S4L07ATMA1 | IPD50N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,65 | $0,69 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ T2 | — |
| FET Type | 2x N-Channel (Dual, Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 7.2 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 65 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (4.5V VGS fully enhanced) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | 100 % Avalanche tested |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free terminations | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (V DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | — | 50 A |
| Power Dissipation (P D, Tc) | — | 46 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Green Package (RoHS) | — | RoHS compliant |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] |
| On-State Resistance (R DS(on)) | — | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] |
| Total Gate Charge (Q G) | — | [DATA_NEEDED: Q G typical] |