IPG20N04S4L08ATMA1 vs IAUCN04S7N012ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S4L08ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N012ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 8.2mΩ OptiMOS-T2 | Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPG20N04S4L08ATMA1 | IAUCN04S7N012ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,89 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPG20N04S4L08ATMA1 | — |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | — |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 20 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A | 8.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 54 W | — |
| Température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier / Format | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 | — |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) | 1 |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / Green | RoHS Compliant, Green Product | — |
| Part Status | Active | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS-7 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) |
| Transistor Grade | — | Automotive (AEC-Q101) |
| Dissipation de puissance (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |