IPG20N04S4L08ATMA1 vs IAUCN04S7N012ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N04S4L08ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N012ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N04S4L08ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $1.18
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) —
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
動作温度 -55°C to +175°C —
パッケージ / ケース PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
MSLレベル MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-7 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.2 mΩ
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet]
パッケージ — PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN)
Transistor Grade — Automotive (AEC-Q101)
消費電力(Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB]
RoHS ステータス — Compliant
ハロゲンフリー — Yes
Polarity — N-Channel

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼