IPG20N10S436AATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N10S436AATMA1 par Infineon et IPT015N10N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N10S436AATMA1 IPT015N10N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $2,78
Configuration Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) Single
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Total Power Dissipation (PD) 43 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Boîtier PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TJ max) +175 C —
JESD-609 Code e3 —
Niveau MSL MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Channel Type N-Channel Normal Level —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Technology — OptiMOS™ 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Température de fonctionnement — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

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