IPG20N10S436AATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N10S436AATMA1 メーカー: Infineon および IPT015N10N5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 - Dual N-CH 100V 20A MOSFET Array | Infineon

IPG20N10S436AATMA1 - Dual N-CH 100V 20A MOSFET Array | Infineon

IPG20N10S436AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N10S436AATMA1 IPT015N10N5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $2.78
Configuration Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) Single
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Total Power Dissipation (PD) 43 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
パッケージ PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TJ max) +175 C —
JESD-609 Code e3 —
MSLレベル MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
RoHS ステータス Compliant (Green Product) Compliant
Channel Type N-Channel Normal Level —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Technology — OptiMOS™ 5
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
動作温度 — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼