IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPN95R1K2P7ATMA1 par Infineon et IPN80R4K5P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPN80R4K5P7ATMA1 - 800V 1.5A CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon
IPN80R4K5P7ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPN95R1K2P7ATMA1 | IPN80R4K5P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $0,30 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | CoolMOS P7 (Super Junction) | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 6 A | — |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | 1200 mOhm (1.2 Ohm) | — |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | 10 V | — |
| Power Dissipation (T_C) | 7 W | — |
| Boîtier | SOT-223-3 (PG-SOT223) | PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (2 + Tab) | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Status | Active | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 1.5 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 6 W |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) | — | 4.5 ohm max |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Grade | — | Industrial |
| Application | — | Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers |
| Reel / Tape Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |