IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPN95R1K2P7ATMA1 제조: Infineon 및 IPN80R4K5P7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPN95R1K2P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.36 $0.30
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
패키지 SOT-223-3 (PG-SOT223) PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
동작 온도 범위 -55C to +150C —
Packaging Tape & Reel —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Part Status Active —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 1.5 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 6 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 4.5 ohm max
Operating Mode — Enhancement-mode
Grade — Industrial
Application — Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers
Reel / Tape Packaging — Tape & Reel (T/R)

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