IPN95R1K2P7ATMA1 vs STF13N95K3 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPN95R1K2P7ATMA1 par Infineon et STF13N95K3 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
STMicroelectronics
STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STF13N95K3 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPN95R1K2P7ATMA1 | STF13N95K3 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | STMicroelectronics |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $1,85 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS P7 (Super Junction) | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 6 A | — |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | 1200 mOhm (1.2 Ohm) | — |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | 10 V | — |
| Power Dissipation (T_C) | 7 W | — |
| Boîtier | SOT-223-3 (PG-SOT223) | TO-220FP |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Nombre de broches | 3 (2 + Tab) | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Status | Active | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 8.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 39 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 0.55 ohm (typical) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V to 5 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 45 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1900 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 120 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 10 pF |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 400 mJ |
| Sans halogène | — | Yes |