IPN95R1K2P7ATMA1 vs STF13N95K3 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN95R1K2P7ATMA1 por Infineon e STF13N95K3 por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPN95R1K2P7ATMA1 STF13N95K3
Marca Infineon STMicroelectronics
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $1,85
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
Encapsulamento SOT-223-3 (PG-SOT223) TO-220FP
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55°C to +150°C
Packaging Tape & Reel —
Status RoHS Compliant Compliant
Part Status Active —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 8.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 39 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.55 ohm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 120 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 10 pF
Avalanche Energy (EAS) — 400 mJ
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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