IPT010N08NM5ATMA1 vs BSC0901NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT010N08NM5ATMA1 par Infineon et BSC0901NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPT010N08NM5ATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,10 | $0,78 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 1.05 mΩ | — |
| Continuous Drain Current ID @ Ta=25 °C | 43 A | — |
| Continuous Drain Current ID @ Tc=25 °C | 425 A | — |
| Pulsed Drain Current IDM | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation PD @ Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation PD @ Tc=25 °C | 375 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8 (TOLL) Surface Mount | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |