IQE008N03LM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE008N03LM5ATMA1 par Infineon et ISC011N06LM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE008N03LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,94 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
Boîtier PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55C to +175C
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down OptiMOS 5
Statut RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Nombre de broches — 8
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis