IQE008N03LM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IQE008N03LM5ATMA1 от Infineon и ISC011N06LM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IQE008N03LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,94 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
Корпус PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55C to +175C
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down OptiMOS 5
Статус RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Число выводов — 8
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену