IQE008N03LM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE008N03LM5ATMA1 por Infineon e ISC011N06LM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQE008N03LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,94 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
Encapsulamento PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55C to +175C
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down OptiMOS 5
Status RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Contagem de pinos — 8
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Fichas técnicas e recursos

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