IQE008N03LM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE008N03LM5ATMA1 por Infineon y ISC011N06LM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE008N03LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,94 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
Encapsulado PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55C to +175C
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down OptiMOS 5
Estado RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Recuento de pines — 8
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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