IR2104STRPBF vs 2ED2183S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2104STRPBF par Infineon et 2ED2183S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2104STRPBF 2ED2183S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,59 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and low-side referenced output channels High Side, Low Side, Non-Inverting
Nombre de sorties 2 (high-side + low-side) 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Offset Voltage (High-Side, Max) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ) 0.21 A —
Output Sink Current (typ) 0.36 A —
Rise Time (typ) 100 ns —
Fall Time (typ) 50 ns —
Propagation Delay (typ) 680 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 130 ns —
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) 150 uA —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V logic —
Shutdown Pin Yes (active-low shutdown input) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Prevention Yes (matched propagation delay) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier 8-SOIC (SOIC-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Temps de montée — 15 ns
Temps de descente — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Niveau MSL — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

Fiches techniques et ressources

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