IR2104STRPBF vs 2ED2183S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2104STRPBF por Infineon e 2ED2183S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2104STRPBF 2ED2183S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,59 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and low-side referenced output channels High Side, Low Side, Non-Inverting
Número de saídas 2 (high-side + low-side) 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Offset Voltage (High-Side, Max) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ) 0.21 A —
Output Sink Current (typ) 0.36 A —
Rise Time (typ) 100 ns —
Fall Time (typ) 50 ns —
Propagation Delay (typ) 680 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 130 ns —
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) 150 uA —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V logic —
Shutdown Pin Yes (active-low shutdown input) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Prevention Yes (matched propagation delay) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento 8-SOIC (SOIC-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Tempo de subida — 15 ns
Tempo de descida — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Nível MSL — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

Fichas técnicas e recursos

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