IR2181STRPBF vs IR2101STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2181STRPBF par Infineon et IR2101STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2181STRPBF IR2101STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,68
Configuration High and Low Side, Independent Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Input Type Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Output Current (Source) 1.9 A peak —
Output Current (Sink) 2.3 A peak —
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) Up to 600 V offset —
Propagation Delay (typ) 180 ns —
Rise Time (typ) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: fall time] —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes —
Undervoltage Lockout Independent for high-side and low-side —
Boîtier 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL 3
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C

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