IR2181STRPBF vs IR2101STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2181STRPBF por Infineon e IR2101STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2181STRPBF IR2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,68
Configuration High and Low Side, Independent Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Input Type Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Output Current (Source) 1.9 A peak —
Output Current (Sink) 2.3 A peak —
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) Up to 600 V offset —
Propagation Delay (typ) 180 ns —
Rise Time (typ) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: fall time] —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes —
Undervoltage Lockout Independent for high-side and low-side —
Encapsulamento 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL 3
Status RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
Temperatura de operação — -40 C to +125 C

Fichas técnicas e recursos

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