IR2181STRPBF vs IR2101STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2181STRPBF от Infineon и IR2101STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2181STRPBF IR2181STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver 1.9A/2.3A | Infineon

IR2181STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver 1.9A/2.3A | Infineon

IR2181STRPBF ✓ Активен
Infineon
IR2101STRPBF IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2181STRPBF IR2101STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,74 $0,68
Configuration High and Low Side, Independent Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Input Type Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Output Current (Source) 1.9 A peak —
Output Current (Sink) 2.3 A peak —
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) Up to 600 V offset —
Propagation Delay (typ) 180 ns —
Rise Time (typ) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: fall time] —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes —
Undervoltage Lockout Independent for high-side and low-side —
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Диапазон рабочих температур -40 C to +125 C —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL 3
Статус RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
Рабочая температура — -40 C to +125 C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену