IRF1407PBF vs IRF1010NPBF-VB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1407PBF par Infineon et IRF1010NPBF-VB par VBsemi Elec. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1407PBF IRF1010NPBF-VB
Marque Infineon VBsemi Elec
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,25
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (stripe-planar MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 7.8 mOhm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 160 nC (typical) —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (Through Hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage VDSS — 55 V
Continuous Drain Current ID — 85 A (Tc)
Power Dissipation PD — 180 W (Tc)
On-Resistance RDS(on) — 0.014 Ohm (14 mOhm)
Total Gate Charge Qg — 80 nC
Gate-Source Voltage VGSS — +/-20 V
Operating Mode — Enhancement
Number of Channels — 1
Configuration — Single FET
Process Technology — Planar HEXFET, Advanced Process Technology
Recommended Switching Frequency — Below 100 kHz
Market Qualification — Industrial
Statut RoHS — Compliant (Pb-free suffix)

Fiches techniques et ressources

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