IRF2907ZSTRLPBF vs IRF1010ZPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF2907ZSTRLPBF par Infineon et IRF1010ZPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF2907ZSTRLPBF IRF1010ZPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $1,36
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
Courant de drain continu (TC=25°C) 170 A —
Courant de drain continu (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET —
Boîtier D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Type de montage Surface Mount (SMD) Through Hole
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant Compliant (PBF = Pb-free)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) Improved repetitive avalanche rated
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 75 A (Tc=25C)
Power Dissipation (Pd) at Tc — 140 W (Tc=25C)
On-Resistance (Rds on) Max — [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing)
Total Gate Charge (Qg) — 63 nC (typ, per Mouser listing)
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Configuration — Single MOSFET
Maximum Junction Temperature — 175 C
Qualification — JEDEC industry standard qualification
Lead Status — Lead Free
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]

Fiches techniques et ressources

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