IRF2907ZSTRLPBF vs IRF1010ZPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF2907ZSTRLPBF por Infineon e IRF1010ZPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF2907ZSTRLPBF IRF1010ZPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $1,36
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) 170 A —
Corrente de dreno contínua (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET —
Encapsulamento D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Tipo de montagem Surface Mount (SMD) Through Hole
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant Compliant (PBF = Pb-free)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) Improved repetitive avalanche rated
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 75 A (Tc=25C)
Power Dissipation (Pd) at Tc — 140 W (Tc=25C)
On-Resistance (Rds on) Max — [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing)
Total Gate Charge (Qg) — 63 nC (typ, per Mouser listing)
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Configuration — Single MOSFET
Maximum Junction Temperature — 175 C
Qualification — JEDEC industry standard qualification
Lead Status — Lead Free
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]

Fichas técnicas e recursos

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