IRF3205STRLPBF vs IPD100N04S402ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF3205STRLPBF par Infineon et IPD100N04S402ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 - 40V 100A Automotive N-MOSFET | Infineon

IPD100N04S402ATMA1 - 40V 100A Automotive N-MOSFET | Infineon

IPD100N04S402ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF3205STRLPBF IPD100N04S402ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $0,00
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A —
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (Tj) —
Boîtier TO-263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-313 surface-mount DPAK
Type de montage Surface Mount Surface mount
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) —
Packaging Tape & Reel (STRL) —
Channel Type — N-channel
Operating Mode — Enhancement mode
Drain-Source Voltage — 40 V
Continuous Drain Current — 100 A at Tc
Power Dissipation — 150 W at Tc
On-Resistance — 4.0 mΩ
Configuration — Single MOSFET with built-in diode
Nombre de broches — 3 pins plus tab
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Testing — 100% avalanche tested
Minimum Operating Temperature — -55°C
Maximum Operating Temperature — 175°C
Peak Reflow Temperature — 260°C
Moisture Sensitivity Level — MSL1
Statut RoHS — Compliant
Package Body Material — Plastic/epoxy
JEDEC Package Code — TO-252
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
Tension de seuil de grille — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Reverse-Biased Safe Operating Area — [DATA_NEEDED: SOA data]

Fiches techniques et ressources

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