IRF3205STRLPBF vs IPD100N04S402ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF3205STRLPBF por Infineon e IPD100N04S402ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 - 40V 100A Automotive N-MOSFET | Infineon

IPD100N04S402ATMA1 - 40V 100A Automotive N-MOSFET | Infineon

IPD100N04S402ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRF3205STRLPBF IPD100N04S402ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,02 $0,00
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A —
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) —
Encapsulamento TO-263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-313 surface-mount DPAK
Tipo de montagem Surface Mount Surface mount
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) —
Packaging Tape & Reel (STRL) —
Channel Type — N-channel
Operating Mode — Enhancement mode
Drain-Source Voltage — 40 V
Continuous Drain Current — 100 A at Tc
Power Dissipation — 150 W at Tc
On-Resistance — 4.0 mΩ
Configuration — Single MOSFET with built-in diode
Contagem de pinos — 3 pins plus tab
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Testing — 100% avalanche tested
Minimum Operating Temperature — -55°C
Maximum Operating Temperature — 175°C
Peak Reflow Temperature — 260°C
Moisture Sensitivity Level — MSL1
Status RoHS — Compliant
Package Body Material — Plastic/epoxy
JEDEC Package Code — TO-252
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
Tensão de limiar de gate — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Reverse-Biased Safe Operating Area — [DATA_NEEDED: SOA data]

Fichas técnicas e recursos

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