IRF4905SPBF vs IRF4905STRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905SPBF par Infineon et IRF4905STRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF4905SPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,95 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | -42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | -260 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 20 mOhm @ VGS = -10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 170 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263) surface mount | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET, planar cell | HEXFET (Planar) |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC (typical per Mouser listing) | 120 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Statut RoHS | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) | Compliant |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |