IRF4905SPBF vs IRF4905STRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF4905SPBF メーカー: Infineon および IRF4905STRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF4905SPBF IRF4905STRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.18 $0.95
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
動作接合温度 -55 C to +150 C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
パッケージ D2PAK (TO-263) surface mount D2PAK (TO-263)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell HEXFET (Planar)
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) 120 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant
Qualification JEDEC standard —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
動作温度範囲 — -55C to +175C
MSLレベル — 1
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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