IRF4905SPBF vs IRF4905STRLPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF4905SPBF от Infineon и IRF4905STRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon
IRF4905STRLPBF ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IRF4905SPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,18 | $0,95 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | -42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | -260 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 20 mOhm @ VGS = -10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 170 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 C to +150 C | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] | — |
| Корпус | D2PAK (TO-263) surface mount | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET, planar cell | HEXFET (Planar) |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC (typical per Mouser listing) | 120 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Статус RoHS | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) | Compliant |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |