IRF7416TRPBF vs FDS6575 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7416TRPBF par Infineon et FDS6575 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7416TRPBF FDS6575
Marque Infineon onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,28
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) PowerTrench (rugged gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier 8-SO (SOIC-8) SOIC-8 (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) — -10 A
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
Tension de seuil de grille — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]

Fiches techniques et ressources

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