IRF7416TRPBF vs FDS6575 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7416TRPBF por Infineon e FDS6575 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7416TRPBF FDS6575
Marca Infineon onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,28
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) PowerTrench (rugged gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) SOIC-8 (SO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 (unlimited) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) — -10 A
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
Tensão de limiar de gate — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]

Fichas técnicas e recursos

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