IRFB4110PBF vs IRF2907ZSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4110PBF par Infineon et IRF2907ZSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4110PBF IRF2907ZSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $1,55
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Boîtier TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB) surface mount
Technology HEXFET (planar DMOS) IR HEXFET / IR MOSFET
Type de montage Through Hole Surface Mount (SMD)
Statut RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) Yes (PBF suffix)
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Courant de drain continu (TC=25°C) — 170 A
Courant de drain continu (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

Fiches techniques et ressources

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