IRFB4110PBF vs IRF2907ZSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4110PBF por Infineon e IRF2907ZSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4110PBF IRF2907ZSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $1,55
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB) surface mount
Technology HEXFET (planar DMOS) IR HEXFET / IR MOSFET
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount (SMD)
Status RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) Yes (PBF suffix)
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — 170 A
Corrente de dreno contínua (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

Fichas técnicas e recursos

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