IRFB4110PBF vs IRF2907ZSTRLPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFB4110PBF от Infineon и IRF2907ZSTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFB4110PBF | IRF2907ZSTRLPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,55 | $1,55 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| Корпус | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263AB) surface mount |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | IR HEXFET / IR MOSFET |
| Тип монтажа | Through Hole | Surface Mount (SMD) |
| Статус RoHS | Compliant (Pb-free suffix) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | Yes (PBF suffix) |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 75 V |
| Непрерывный ток стока (TC=25°C) | — | 170 A |
| Непрерывный ток стока (TC=100°C) | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | — | 4.5 mOhm |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | — | 300 W |
| Число выводов | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Packaging | — | Tape and Reel (left orientation) |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) |