IRFB4110PBF vs IRF2907ZSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFB4110PBF von Infineon und IRF2907ZSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFB4110PBF IRF2907ZSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $1,55
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Gehäuse TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB) surface mount
Technology HEXFET (planar DMOS) IR HEXFET / IR MOSFET
Montageart Through Hole Surface Mount (SMD)
RoHS-Status Compliant (Pb-free suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) Yes (PBF suffix)
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 170 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

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