IRFR3607TRPBF vs IRFR4620TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3607TRPBF par Infineon et IRFR4620TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR3607TRPBF | IRFR4620TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,39 | $1,72 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 56 A | — |
| Calculated Die Drain Current | 80 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 140 W | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | IR MOSFET |
| Avalanche SOA | Fully characterized | — |
| RoHS / Lead-Free | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFR4620TRLPBF |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 24 A at Tc |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 78 mOhm max at VGS=10V |
| Gate Charge (Qg) | — | 25 nC typical |
| Power Dissipation (PD) | — | 144 W at Tc |
| Boîtier / Format | — | TO-252AA (DPAK) |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Lead Free | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 (Unlimited) |