IRFR5305TRPBF vs IRF5305STRRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5305TRPBF par Infineon et IRF5305STRRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5305TRPBF IRF5305STRRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,62
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process)
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Type de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fiches techniques et ressources

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