IRFR5305TRPBF vs IRF5305STRRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR5305TRPBF por Infineon e IRF5305STRRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR5305TRPBF IRF5305STRRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,62
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process)
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fichas técnicas e recursos

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