IRFR5305TRPBF vs IRF5305STRRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFR5305TRPBF от Infineon и IRF5305STRRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFR5305TRPBF | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,32 | $0,62 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C | — |
| Корпус | TO-252AA (DPAK) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (Advanced Process) |
| Уровень MSL | 1 | — |
| Статус RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Тип транзистора | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |