IRFR5305TRPBF vs IRF5305STRRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFR5305TRPBF 제조: Infineon 및 IRF5305STRRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFR5305TRPBF | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.32 | $0.62 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 | TO-252AA (DPAK) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (Advanced Process) |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Pb-free PBF suffix) | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| 트랜지스터 유형 | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |